رشد و مشخصه یابی ساختاری و مغناطیسی لایه های نازک آمورف و نانو بلوری co-p

الکتروانباشت یکی از روش های لایه نشانی است که امکان رشد لایه های آلیاژی، تک لایه و چند لایه ای را در شرایط طبیعی دما وفشار فراهم می کند. در این پروژه لایه های co-p و co به روش الکتروانباشت در دو مد chc و cha تحت پتانسیل ثابت در الکترولیت تک حمام بر روی زیرلایه های cu و ti انباشت شدند. به منظور تهیه ساختاری کریستالی برای لایه های مذکور از دو روش استفاده کردیم: 1) تغییر دادن محلول 2) حرارت دهی نمونه های آمورف در کوره ی نفوذ. همچنین در آخرین مرحله بس لایه های co-cu/cu بر روی زیرلایه ی ti تولید شد. برای بررسی ریزساختار لایه ها از آنالیز پراش پرتوی ایکس (xrd) استفاده کردیم سپس از نمونه های انباشت شده ی co-p قبل و بعد از پخت به منظور بررسی ساختار سطحی آن ها تصاویر sem تهیه شد و با استفاده از آنالیز تفکیک انرژی پرتو ایکس این دستگاه (edx) درصد وزنی و اتمی عناصر موجود در سطح لایه ی نازک مشخص گردید. تغییر در مقاومت الکتریکی لایه های انباشت شده ی co-p بعد از عملیات حرارت دهی با استفاده از دستگاه چهارسوزنه و برای اندازه گیری میزان افزایش در سختی نمونه های پخت شده ی co-p دستگاه سختی سنج ویکرز مورد استفاده قرار گرفت و در نهایت با استفاده از دستگاه مغناطوسنج نیروی گرادیان متناوب (agfm) منحنی های پسماند مغناطیسی نمونه ها رسم گردید.